IRG8CH37K10F
制造厂商:英飞凌(英文名:INFINEON)
类别封装:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:-
技术参数:IGBT 1200V 100A DIE
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参数详情:
制造商产品型号:IRG8CH37K10F制造商:Infineon Technologies(英飞凌)描述:IGBT 1200V 100A DIE系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单产品系列:-零件状态:有源IGBT类型:-电压-集射极击穿(最大值):1200V电流-集电极(Ic)(最大值):-电流-集电极脉冲(Icm):-不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,35A功率-最大值:-开关能量:-输入类型:标准栅极电荷:210nC25°C时Td(开/关)值:35ns/190ns测试条件:600V,35A,5 欧姆,15V反向恢复时间(trr):-工作温度:-安装类型:-封装:-IRG8CH37K10F的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。