IRF200B211
制造厂商:英飞凌(英文名:INFINEON)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:TO-220AB
技术参数:MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB
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参数详情:
制造商产品型号:IRF200B211制造商:Infineon Technologies(英飞凌)描述:MOSFET N-CH 200V 12A TO220AB系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个产品系列:HEXFET?, StrongIRFET?零件状态:有源FET类型:N 通道技术:MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss):200V25°C时电流-连续漏极(Id):12A(Tc)驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):10V不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):170 毫欧 @ 7.2A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4.9V @ 50μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):23nC @ 10VVgs(最大值):±20V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):790pF @ 50VFET功能:-功率耗散(最大值):80W(Tc)工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:通孔器件封装:TO-220ABIRF200B211的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。