IPG20N04S408AATMA1
制造厂商:英飞凌(英文名:INFINEON)
类别封装:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列,封装:8-PowerVDFN
技术参数:MOSFET 2N-CH 8TDSON
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参数详情:
制造商产品型号:IPG20N04S408AATMA1制造商:Infineon Technologies(英飞凌)描述:MOSFET 2N-CH 8TDSON系列:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列产品系列:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS?零件状态:有源FET类型:2 N-通道(双)FET功能:标准漏源电压(Vdss):40V25°C时电流-连续漏极(Id):20A不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):7.6 毫欧 @ 17A,10V不同Id时Vgs(th)(最大值):4V @ 30μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):36nC @ 10V不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2940pF @ 25V功率-最大值:65W工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)安装类型:表面贴装,可润湿侧翼封装:8-PowerVDFNIPG20N04S408AATMA1的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。