IPB80N06S2L-05
制造厂商:英飞凌(英文名:INFINEON)
类别封装:单端场效应管,PG-TO263-3
技术参数:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
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参数详情:
制造商产品型号:IPB80N06S2L-05制造商:Infineon Technologies(英飞凌)描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3系列:OptiMOS?FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:逻辑电平门漏源极电压 (Vdss):55V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):80A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):4.5 毫欧 @ 80A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):230nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):5700pF @ 25V功率 - 最大值:300W安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:PG-TO263-3IPB80N06S2L-05的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。