IPB65R110CFD
制造厂商：英飞凌（英文名：INFINEON）
类别封装：单端场效应管，PG-TO263
技术参数：MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263
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参数详情：
制造商产品型号：IPB65R110CFD制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：MOSFET N-CH 650V 31.2A TO263系列：CoolMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：650V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：31.2A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：110 毫欧 @ 12.7A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.3mA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：118nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3240pF @ 100V功率 - 最大值：277.8W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：PG-TO263IPB65R110CFD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
