IPB50R299CPATMA1
制造厂商：英飞凌（英文名：INFINEON）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO263-3-2
技术参数：MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3
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参数详情：
制造商产品型号：IPB50R299CPATMA1制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：MOSFET N-CH 550V 12A TO263-3系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：CoolMOS?零件状态：停产FET类型：N 通道技术：MOSFET（金属氧化物）漏源电压（Vdss）：550V25°C时电流-连续漏极(Id)：12A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：299 毫欧 @ 6.6A，10V不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 440μA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：31nC @ 10VVgs（最大值）：±20V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1190pF @ 100VFET功能：-功率耗散（最大值）：104W（Tc）工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PG-TO263-3-2IPB50R299CPATMA1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
