IPB50R199CP
制造厂商:英飞凌(英文名:INFINEON)
类别封装:单端场效应管,PG-TO263-3
技术参数:MOSFET N-CH 550V 17A TO-263
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参数详情:
制造商产品型号:IPB50R199CP制造商:Infineon Technologies(英飞凌)描述:MOSFET N-CH 550V 17A TO-263系列:CoolMOS?FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物FET 功能:标准漏源极电压 (Vdss):550V电流 - 连续漏极 (Id)(25°C 时):17A(Tc)不同 Id、Vgs 时的 Rds On(最大值):199 毫欧 @ 9.9A,10V不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 660μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg):45nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss):1800pF @ 100V功率 - 最大值:139W安装类型:表面贴装封装/外壳:TO-263-3,D2Pak(2 引线+接片),TO-263AB供应商器件封装:PG-TO263-3IPB50R199CP的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。