IPB067N08N3 G
制造厂商：英飞凌（英文名：INFINEON）
类别封装：单端场效应管，PG-TO263-2
技术参数：MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3
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参数详情：
制造商产品型号：IPB067N08N3 G制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：MOSFET N-CH 80V 80A TO263-3系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：80V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：80A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：6.7 毫欧 @ 73A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 73μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：56nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：3840pF @ 40V功率 - 最大值：136W安装类型：表面贴装封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB供应商器件封装：PG-TO263-2IPB067N08N3 G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
