IMBG120R030M1HXTMA1
制造厂商：英飞凌（英文名：INFINEON）
类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：PG-TO263-7-12
技术参数：TRANS SJT N-CH 1.2KV 56A TO263
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参数详情：
制造商产品型号：IMBG120R030M1HXTMA1制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：TRANS SJT N-CH 1.2KV 56A TO263系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个产品系列：CoolSiC?零件状态：有源FET类型：N 通道技术：SiC（碳化硅结晶体管）漏源电压（Vdss）：1.2kV25°C时电流-连续漏极(Id)：56A（Tc）驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：-不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：41 毫欧 @ 25A，18V不同Id时Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 11.5mA不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：63nC @ 18VVgs（最大值）：+18V，-15V不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：2.29nF @ 800VFET功能：标准功率耗散（最大值）：300W（Tc）工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）安装类型：表面贴装型器件封装：PG-TO263-7-12IMBG120R030M1HXTMA1的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
