BSZ086P03NS3 G
制造厂商：英飞凌（英文名：INFINEON）
类别封装：单端场效应管，PG-TSDSON-8
技术参数：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8
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参数详情：
制造商产品型号：BSZ086P03NS3 G制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：MOSFET P-CH 30V 40A TSDSON-8系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：13.5A（Ta），40A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：8.6 毫欧 @ 20A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.9V @ 105μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：57.5nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4785pF @ 15V功率 - 最大值：69W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-PowerTDFN供应商器件封装：PG-TSDSON-8（3.3x3.3）BSZ086P03NS3 G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
