BSO303SP
制造厂商：英飞凌（英文名：INFINEON）
类别封装：单端场效应管，8-SO
技术参数：MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC
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参数详情：
制造商产品型号：BSO303SP制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-SOIC系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：30V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：8.9A（Ta）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：21 毫欧 @ 8.9A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 100μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：69nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1754pF @ 25V功率 - 最大值：2.35W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）供应商器件封装：8-SOBSO303SP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
