BSC042NE7NS3 G
制造厂商：英飞凌（英文名：INFINEON）
类别封装：单端场效应管，PG-TDSON-8
技术参数：MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8
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参数详情：
制造商产品型号：BSC042NE7NS3 G制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：MOSFET N-CH 75V 100A TDSON-8系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：标准漏源极电压 (Vdss)：75V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：19A（Ta），100A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.2 毫欧 @ 50A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.8V @ 91μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：69nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：4800pF @ 37.5V功率 - 最大值：125W安装类型：表面贴装封装/外壳：8-PowerTDFN供应商器件封装：PG-TDSON-8（5.15x6.15）BSC042NE7NS3 G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
