BSB044N08NN3 G
制造厂商：英飞凌（英文名：INFINEON）
类别封装：单端场效应管，MG-WDSON-2
技术参数：MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2
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参数详情：
制造商产品型号：BSB044N08NN3 G制造商：Infineon Technologies（英飞凌）描述：MOSFET N-CH 80V 18A WDSON-2系列：OptiMOS?FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物FET 功能：逻辑电平门漏源极电压 (Vdss)：80V电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：18A（Ta），90A（Tc）不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：4.4 毫欧 @ 30A，10V不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 97μA不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：73nC @ 10V不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：5700pF @ 40V功率 - 最大值：78W安装类型：表面贴装封装/外壳：3-WDSON供应商器件封装：MG-WDSON-2，CanPAK MBSB044N08NN3 G的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
